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7N65C	文件：886.6 Kbytes Page：10 Pages	650V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
7N65D	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
7N65F	文件：194.24 Kbytes Page：2 Pages	7Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●7A,650V,RDS(ON)=1.4Ω@VGS=10V/3.5A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實業(yè)重慶平偉實業(yè)股份有限公司	CHONGQING
7N65F	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
7N65F	文件：692.23 Kbytes Page：11 Pages	N-channelpowerMOStube Features VDS(V)=650V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
7N65F	文件：4.24023 Mbytes Page：5 Pages	650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Description TheAP7N65F/PissiliconN-channelEnhanced VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology whichreducetheconductionloss,improveswitching performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem mini	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
7N65-F	文件：347.84 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC7N65-FisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
7N65G	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
7N65H	文件：194.24 Kbytes Page：2 Pages	7Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●7A,650V,RDS(ON)=1.4Ω@VGS=10V/3.5A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實業(yè)重慶平偉實業(yè)股份有限公司	CHONGQING
7N65H	文件：402.48 Kbytes Page：6 Pages	7A,650VN-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亞半導(dǎo)體廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司	KIA
7N65-HC	文件：459.05 Kbytes Page：8 Pages	7A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET ?DESCRIPTION TheUTC7N65-HCisaN-channelmodepowerMOSFET usingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswith planarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsa minimumon-stateresistanceandsuperiorswitching performance.Italsocanwithstandhighenergypulseinthe	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
7N65K	文件：204.95 Kbytes Page：6 Pages	7.4A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65KisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsi	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
7N65K	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
7N65K	文件：1.10558 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
7N65KL	文件：1.10557 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
7N65K-MTQ	文件：273.76 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
7N65L	文件：178.46 Kbytes Page：6 Pages	7.4A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65LisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsi	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
7N65L	文件：692.23 Kbytes Page：11 Pages	N-channelpowerMOStube Features VDS(V)=650V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
7N65LL	文件：1.10557 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
7N65-M	文件：206.11 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65-MisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC

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更多7N65C供應(yīng)商更新時間2025-1-11 14:50:00

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