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900N20N

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?Optimizedfordc-dcconversion ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Lowon-resistanceRDS(on) ?150°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Halogen-freeacco

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多900N20N供應(yīng)商 更新時間2025-1-16 15:40:00

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