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Bipolar Transistor -100 V, -2.5 A, Low VCE(sat) PNP Single LFPAK

Thisdeviceisbipolarjunctiontransistorfeaturinghighcurrent,low saturationvoltage,andhighspeedswitching. Suitableforautomotiveapplications.AEC?Q101qualifiedand PPAPcapable.(NSVS1001CLTWG) Features ?ComplementtoNSS1002CL ?LargeCurrentCapacitance ?LowCollectorto

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安森美半導體安森美半導體公司

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Bipolar Transistor 100 V, 2.5 A, Low VCE(sat) NPN Single LFPAK

Thisdeviceisbipolarjunctiontransistorfeaturinghighcurrent,low saturationvoltage,andhighspeedswitching.Suitableforautomotiveapplications.AEC?Q101qualifiedandPPAPcapable.(NSVS1002CLTWG) Features ?ComplementtoNSS1001CL ?LargeCurrentCapacitance ?LowCollectortoE

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MOSFET ??Power, Single N-Channel 60 V, 8.0 m, 63 A

Features ?SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

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更多98AON05544H供應商 更新時間2025-1-22 15:00:00

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