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98AON11126D中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

98AON11126D
廠商型號(hào)

98AON11126D

功能描述

Schottky Barrier Diode

文件大小

152.27 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-24 23:00:00

98AON11126D規(guī)格書詳情

These Schottky barrier diodes are designed for high current,

handling capability, and low forward voltage performance.

Features

? Low Forward Voltage ? 0.35 V (Typ) @ IF = 10 mAdc

? High Current Capability

? These are Pb?Free Devices

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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