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Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 6 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package

TheNXH006P120MNF2isapowermodulecontainingan6m/ 1200VSiCMOSFEThalf?bridgeandathermistorinanF2package. Features ?6m/1200VSiCMOSFETHalf?Bridge ?Thermistor ?OptionswithPre?AppliedThermalInterfaceMaterial(TIM)and withoutPre?AppliedTIM ?OptionswithSo

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Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package with Si3N4 DBC

TheNXH004P120M3F2PTNGisapowermodulecontaining3m/ 1200VSiCMOSFEThalf?bridgeandathermistorwithSi3N4DBCin anF2package. Features ?4m/1200VM3SSiCMOSFETHalf?Bridge ?Si3N4DBC ?Thermistor ?Pre?AppliedThermalInterfaceMaterial(TIM) ?Press?FitPins ?These

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F2-Half Bridge SiC MOSFET Module

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更多98AON19725H供應商 更新時間2025-1-26 15:00:00

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