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V10P10

HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLow

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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10AmpereLowerVFMiniatureSurfaceMountSchottkyBarrierRectifier

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

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HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.453VatIF=5A FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvolatgedrop,lowpowerlosses ?

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更多A10P10G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-30 14:20:00

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