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A20N20MP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 濱特爾濱特爾集團(tuán)	PENTAIR
A20N20MPP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 濱特爾濱特爾集團(tuán)	PENTAIR
A20N20MPP	文件：1.87751 Mbytes Page：16 Pages	PERFORATEDPANELS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
CJP20N20	文件：203.89 Kbytes Page：4 Pages	PowerFieldefectTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
DAM20N20D	文件：243.15 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
EC-20N20	文件：225.03 Kbytes Page：3 Pages	HIGHPOWER250WHIGHQUALITYAUDIOAMPLIFIERAPPLICATIONS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
JCS20N20CT-O-C-N-B	文件：1.81703 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
JCS20N20FT-O-F-N-B	文件：1.01266 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
MTB20N20E	文件：332.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTB20N20E	文件：252.78 Kbytes Page：12 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTB20N20E	文件：258.709 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES200VOLTS TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhigh	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP20N20	文件：203.09 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.16OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowv	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP20N20E	文件：304.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP20N20E	文件：203.09 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.16OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowv	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP20N20E	文件：248.63 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
SSFP20N20	文件：201.58 Kbytes Page：2 Pages	StarMOSTPowerMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
STD20N20	文件：405.53 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL200V-0.10OHM-18ATO-220/TO-220FP/DPAKLOWGATECHARGESTripFETIIMOSFET DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconverters. GeneralFeatures ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STF20N20	文件：405.53 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL200V-0.10OHM-18ATO-220/TO-220FP/DPAKLOWGATECHARGESTripFETIIMOSFET DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconverters. GeneralFeatures ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP20N20	文件：398 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=125mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching ·DC-DCConverters ·Primarysideswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STP20N20	文件：405.53 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL200V-0.10OHM-18ATO-220/TO-220FP/DPAKLOWGATECHARGESTripFETIIMOSFET DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconverters. GeneralFeatures ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
上海金慶電子技術(shù)有限公司	A20N20BLP	Hoffman	新		5	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	A20N20BLP	Hoffman	2022+		1	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	A20N20MP	Hoffman	2020+	N/A	5	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢價(jià)
深圳市易訊博科技有限公司	A20N20MP	Hoffman	22+	NA	5	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	A20N40HA	A	23+	TO-3P	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	A20N40HA	A	TO-3P	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	A20N40HA	A	23+	TO-3P	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	A20N40HA	A	22+	TO-3P	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	A20N-5	XP Power	24+	N/A	12000	一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品假一罰十價(jià)格合理	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	A20N-5	XP	20+	電源模塊	84	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購(gòu)元件!	詢價(jià)

更多A20N20BLP供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 16:07:00

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