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A2G22S190-01S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A2G22S190-01S
廠商型號(hào)

A2G22S190-01S

參數(shù)屬性

A2G22S190-01S 包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

功能描述

RF Power GaN Transistor

文件大小

188.97 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-13 8:23:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    A2G22S190-01SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP USA Inc.
2022+
NI-400S-2S
38550
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