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A2I25H060GNR1

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

A2I25H060GNR1

Package:TO-270-17 變型,鷗翼;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:IC TRANS RF LDMOS

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A2I25H060GNR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    2.59GHz

  • 增益:

    26.1dB

  • 功率 - 輸出:

    10.5W

  • 封裝/外殼:

    TO-270-17 變型,鷗翼

  • 供應商器件封裝:

    TO-270WBG-17

  • 描述:

    IC TRANS RF LDMOS

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多A2I25H060GNR1供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00