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A2T18H160-24S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A2T18H160-24S
廠商型號

A2T18H160-24S

參數(shù)屬性

A2T18H160-24S 封裝/外殼為NI-780S-4L2L;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET LDMOS DL 28V NI780S

功能描述

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

NI-780S-4L2L

文件大小

461.6 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-23 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A2T18H160-24SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    1.81GHz

  • 增益:

    17.9dB

  • 功率 - 輸出:

    28W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S-4L2L

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S-4L2L

  • 描述:

    RF MOSFET LDMOS DL 28V NI780S

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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