A2T18S162W31SR3_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-NXP USA Inc.

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原廠料號:A2T18S162W31SR3品牌:NXP USA Inc.

資料說明:IC TRANS RF LDMOS

A2T18S162W31SR3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商NXP USA Inc.生產(chǎn)封裝NI-780S-2L2LA的A2T18S162W31SR3晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號:

    a2t18s162w31sr3

  • 規(guī)格書:

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  • 資料說明:

    IC TRANS RF LDMOS

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    A2T18S162W31SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.84GHz

  • 增益:

    20.1dB

  • 功率 - 輸出:

    32W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S-2L2LA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S-2L2LA

  • 描述:

    IC TRANS RF LDMOS

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