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A2T18S260-12SR3

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

A2T18S260-12SR3

Package：NI-780-2S2L；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    A2T18S260-12SR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.805GHz ~ 1.995GHz

  • 增益：

    18.9dB

  • 額定電流（安培）：

    10μA

  • 功率 - 輸出：

    257W

  • 封裝/外殼：

    NI-780-2S2L

  • 供應商器件封裝：

    NI-780-2S2L

  • 描述：

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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