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A2T27S007N分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A2T27S007N
廠商型號

A2T27S007N

參數(shù)屬性

A2T27S007N 封裝/外殼為16-VDFN 裸焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

功能描述

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

16-VDFN 裸焊盤

文件大小

543.39 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-9 10:22:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A2T27S007NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    728MHz ~ 3.6GHz

  • 功率 - 輸出:

    28.8dBm

  • 封裝/外殼:

    16-VDFN 裸焊盤

  • 供應商器件封裝:

    16-DFN(4x6)

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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