A2T27S020GNR1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-恩智浦

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原廠(chǎng)料號(hào):A2T27S020GNR1品牌:NXP USA Inc.

資料說(shuō)明:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

A2T27S020GNR1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商N(yùn)XP/恩智浦生產(chǎn)封裝TO-270BA的A2T27S020GNR1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào):

    a2t27s020gnr1

  • 規(guī)格書(shū):

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    NXP【恩智浦】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng):

    NXP Semiconductors

  • 中文名稱(chēng):

    恩智浦半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明:

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    A2T27S020GNR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS

  • 頻率:

    400MHz ~ 2.7GHz

  • 增益:

    21dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    20W

  • 封裝/外殼:

    TO-270BA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-270-2 鷗翼型

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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