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A2V09H400-04S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
A2V09H400-04S |
| 參數(shù)屬性 | A2V09H400-04S 封裝/外殼為NI-780S-4L；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| 功能描述 | RF Power LDMOS Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| 封裝外殼 | NI-780S-4L |
| 文件大小 |
221.53 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-1 23:00:00 |
| 人工找貨 | A2V09H400-04S價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
A2V09H400-04SR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
LDMOS（雙）
- 頻率：
720MHz ~ 960MHz
- 增益：
18.7dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
102W
- 封裝/外殼：
NI-780S-4L
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-780S-4L
- 描述：
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
NI780S4L |
7350 |
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詢價(jià) |
