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A2V09H525-04N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

A2V09H525-04N
廠商型號(hào)

A2V09H525-04N

參數(shù)屬性

A2V09H525-04N 封裝/外殼為OM-1230-4L;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

功能描述

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件大小

697.73 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

25 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

nxp恩智浦

中文名稱(chēng)

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-1 12:45:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    A2V09H525-04NR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS

  • 頻率:

    720MHz ~ 960MHz

  • 增益:

    18.9dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    120W

  • 封裝/外殼:

    OM-1230-4L

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    OM-1230-4L

  • 描述:

    AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
PSC
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一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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