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A2V09H525-04NR6

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

A2V09H525-04NR6

Package:OM-1230-4L;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A2V09H525-04NR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    720MHz ~ 960MHz

  • 增益:

    18.9dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    120W

  • 封裝/外殼:

    OM-1230-4L

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    OM-1230-4L

  • 描述:

    AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

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