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A3G18H500-04S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
A3G18H500-04S |
參數(shù)屬性 | A3G18H500-04S 封裝/外殼為NI-780S-4L;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L |
功能描述 | RF Power GaN Transistor |
封裝外殼 | NI-780S-4L |
文件大小 |
305.26 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
16 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱(chēng) | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-21 23:00:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
A3G18H500-04SR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類(lèi)型:
LDMOS(雙)
- 頻率:
1.805GHz ~ 1.88GHz
- 增益:
15.4dB
- 功率 - 輸出:
107W
- 封裝/外殼:
NI-780S-4L
- 供應(yīng)商器件封裝:
NI-780S-4L
- 描述:
RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
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