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A3G18H500-04S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

A3G18H500-04S
廠商型號(hào)

A3G18H500-04S

參數(shù)屬性

A3G18H500-04S 封裝/外殼為NI-780S-4L;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L

功能描述

RF Power GaN Transistor

封裝外殼

NI-780S-4L

文件大小

305.26 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

nxp恩智浦

中文名稱(chēng)

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-21 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    A3G18H500-04SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    1.805GHz ~ 1.88GHz

  • 增益:

    15.4dB

  • 功率 - 輸出:

    107W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S-4L

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S-4L

  • 描述:

    RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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