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A3G18H500-04SR3_V01

1805–2200 MHz, 107 W AVG., 48 V AIRFAST RF POWER GaN TRANSISTOR

Features ?Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance ?Advancedhighperformancein--packageDoherty ?AbletowithstandextremelyhighoutputVSWRandbroadbandoperating conditions

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

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