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AOD4130	文件：897.82 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AOD4130	文件：268.5 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-252(DPAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications ?Loadswitch ?Powermanageme	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOD4130	文件：455.57 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralFeatures VDS60V ID(atVGS=10V)30A RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
AOD4130	文件：845.73 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOD4130combinesadvancedtrenchMOSFET technologywithalowresistancepackagetoprovide extremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforboost convertersandsynchronousrectifiersforconsumer, telecom,industrialpowersuppliesandLED backlighting. GeneralFe	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
AOI4130	文件：960.08 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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ASSR-4130	文件：558.46 Kbytes Page：16 Pages	GeneralPurpose,FormA,SolidStateRelay(PhotoMOSFET)	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
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B4130	文件：110.88 Kbytes Page：7 Pages	SAWComponentsLow-LossFilterforMobileCommunication897,5MHz Features ●Low-lossRFfilterforEGSMmobilesystems ●Lowamplituderipple ●Usablepassband35MHz ●Nomatchingnetworkrequiredforoperationat50? ●CeramicPackageforSurfaceMountedTechnology(SMT) ●RoHScompatible	EPCOSepcos 愛(ài)普科斯	EPCOS
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