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A5G35S008NT6

Airfast RF Power GaN Transistor

This27dBmRFpowerGaNtransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof3300to3800MHz. Features ?Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance ?Designedforlowcomplexitylinearizationsystems ?Universalbroadbanddriver ?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A5G35S008NT6

Airfast RF Power GaN Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A5G35S008NT6

包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    A5G35S008NT6

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 描述：

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP USA Inc.
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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NXP USA Inc.
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更多A5G35S008NT6供應(yīng)商 更新時間2025-1-5 10:12:00

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