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AN8882	文件：69.3 Kbytes Page：7 Pages	HeadamplifierICforCD-ROMdrivefor32timesspeedormore	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
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AOZ8882	文件：297.15 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-LowCapacitanceTVSDiodeArray	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
FDD8882	文件：352.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDD8882	文件：434.13 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelPowerTrench?MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDD8882	文件：277.51 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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SPN8882	文件：1.14374 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
STN8882D	文件：902.46 Kbytes Page：7 Pages	NChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION STN8882DistheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorwhichisproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology.TheSTN8882DhasbeendesignedspeciallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswi	STANSON Stanson Technology	STANSON

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更多AB8882A供應(yīng)商更新時間2025-1-15 10:27:00

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