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RC1206FR-108R2L

RFPowerLDMOSTransistors

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs These50WRFpowerLDMOStransistorsaredesignedforcellular basestationapplicationscoveringthefrequencyrangeof2110to2170MHz. ?TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerformance:VDD=28Vdc,IDQ=1500mA, Pout=50WAvg.,InputSignalPA

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

RC1206FR-108R2L

RFPowerLDMOSTransistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

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更多AC1206FR-108R2L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 9:30:00