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ACE5830	文件：485.98 Kbytes Page：6 Pages	DFNWB2X2-6L N-Channel MOSFETS	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACT5830	文件：74.52 Kbytes Page：2 Pages	TwelveChannelIntegratedPowerManagementICforMobileHandsets GENERALDESCRIPTION Thepatent-pendingACT5830isacomplete,integratedpowermanagementsolutionthatisidealformid-highandmobilephones.ThisdeviceintegratesalinearLi+batterychargerwithaninternalpowerMOSFET,ahighefficiency350mADC/DCconverter,eightlowdropoutlinearreg	ACTIVE-SEMI Active-Semi, Inc	ACTIVE-SEMI
ACT5830	文件：774.52 Kbytes Page：41 Pages	TwelveChannelPMUforMobilePhones	ACTIVE-SEMI Active-Semi, Inc	ACTIVE-SEMI
ACT5830	文件：713.48 Kbytes Page：41 Pages	TwelveChannelPMUforMobilePhones	ACTIVE-SEMI Active-Semi, Inc	ACTIVE-SEMI
ACT5830QJCES-T	文件：713.48 Kbytes Page：41 Pages	TwelveChannelPMUforMobilePhones	ACTIVE-SEMI Active-Semi, Inc	ACTIVE-SEMI
ACT5830QJCGN-T	文件：713.48 Kbytes Page：41 Pages	TwelveChannelPMUforMobilePhones	ACTIVE-SEMI Active-Semi, Inc	ACTIVE-SEMI
APC5830	文件：252.15 Kbytes Page：10 Pages	APC5830DE-COMPRESSIONVOICEIC CHIPFEATURES. ●DUALOPERATIONFREQUENCIES: -32.768KHZ&0.5SECONDTIMERINTERRUPT. -BUILT-INPLLCIRCUITTOGENERATESYSTEMCLOCKMAX20MHZ. ●BUILT-IN2KBYTES(1K16)RAM. ●ADDRESSUPTO8MBYTE(4M16)RAMORROMOR“ROMANDRAM” BUILT-IN16KBYTE(8K*16)PROGRAMROMAND	APLUS Aplus Intergrated Circuits	APLUS
ATA5830	文件：862.49 Kbytes Page：24 Pages	UHFASK/FSKTransceiver	AtmelAtmel Corporation 愛(ài)特梅爾愛(ài)特梅爾公司	Atmel
ATA5830	文件：1.00191 Mbytes Page：27 Pages	UHFASK/FSKTransceiver	AtmelAtmel Corporation 愛(ài)特梅爾愛(ài)特梅爾公司	Atmel
ATA5830N	文件：1.00191 Mbytes Page：27 Pages	UHFASK/FSKTransceiver	AtmelAtmel Corporation 愛(ài)特梅爾愛(ài)特梅爾公司	Atmel
BA5830FM	文件：156.31 Kbytes Page：5 Pages	SiliconMonolithicIntegratedCircuit Features ?4CHBTLDriver. ?EmploystheHSOP-M28PINpowerpackageforcompaction. ?Hasawidedynamicrange.(PreVcc=PowVcc=8V,RL=8Ω、6.0V(typ.)) ?Incorporatesthethermalshutdowncircuit. ?SeparatingVccintoPreandPower(PowerdividesintoCH1/2and CH3/4),canmakebetterPowerefficien	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
DW5830	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類(lèi)制造商	ETC
FTD5830A	文件：1.37569 Mbytes Page：16 Pages	3ALowDropRegulaotrWithEnable	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD5830B	文件：1.37569 Mbytes Page：16 Pages	3ALowDropRegulaotrWithEnable	FS First Silicon Co., Ltd	FS
LC5830K	文件：1.262 Mbytes Page：25 Pages	Supplyvoltage6to48V	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會(huì)社	Sanken
NTE5830	文件：18.74 Kbytes Page：2 Pages	StudMountStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp Description: TheNTE5830throughNTE5849aresiliconrectifiersinaD04typepackagedesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop	NTE NTE Electronics	NTE
NTMFS5830NL	文件：114.04 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,172A,2.3m	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVD5830NL	文件：81.7 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVD5830NL	文件：298.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=123A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·PowerSupplies ·InductiveLoads ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NVMFS5830NL	文件：111.95 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,2.3m,185A,SingleN.Channel	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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更多ACE5830供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 11:10:00

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