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BY717	文件：62.89 Kbytes Page：12 Pages	Veryfasthigh-voltagesoft-recoveryrectifiers DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. Thepackageisdesignedtobeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas. FEATU	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BY717	文件：188.97 Kbytes Page：3 Pages	Veryfasthigh-voltagesoft-recoveryrectifiers	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
CH717FPT	文件：259.91 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODEVOLTAGE40VoltsCURRENT0.03Ampere	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
C-L717DXXXPSTX	文件：232.03 Kbytes Page：2 Pages	d-subtechnicaldata	AMPHENOLAmphenol Corporation 安費(fèi)諾集團(tuán)美國安費(fèi)諾集團(tuán)	AMPHENOL
D717	文件：88.53 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor(GENERALDESCRIPTION) SiliconNPNhighfrequency,highpowertransistorsinaplasticenvelope,primarilyforuseinaudioandgeneralpurpose.	WINGSWing Shing Computer Components 永盛電子永盛電子(香港)有限公司	WINGS
DSK-717	文件：128.509 Kbytes Page：5 Pages	POWERDIVIDERS0?:2-WAY	SYNERGY Synergy Microwave Corporation	SYNERGY
FCX717	文件：46.14 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 2WPOWERDISSIPATION 10APeakPulseCurrent ExcellentHFECharacteristicsupto10Amps ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.12mvTyp. *ExtremelyLowEquivalentOn-resistance;RCE(sat)77mΩat3A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
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FCX717	文件：51.98 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPowerSwitchingTransistor Features ●2Wpowerdissipation. ●10Apeakpulsecurrent. ●ExcellentHFEcharacteristicsupto10Amps. ●ExtremelylowsaturationvoltageE.g.12mvTyp. ●Extremelylowequivalenton-resistance.RCE(sat)77mΩat3A.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
FCX717TA	文件：65.26 Kbytes Page：2 Pages	SOT89PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR Features ?BVCEO=-12V ?IC=-3.0AContinuousCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT717	文件：37.72 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingTransistor Features ●625mWpowerdissipation. ●ICCONT2.5A. ●ICupto10Apeakpulsecurrent. ●Excellenthfecharacteristicsupto10A(pulsed). ●Extremelylowsaturationvoltagee.g.10mVtyp.. ●Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
FMMT717	文件：440.66 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features ?BVCEO>-12V ?IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent ?ICM=-10APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageE.g.-17mVMax@IC=-100mA. ?RCE(sat)=72m?at2.5Aforalowequivalenton-resistance ?625mWpowerdissipation ?hFEcharacterisedupto-10Aforhighcurrentgai	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT717	文件：355.42 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT717	文件：755.32 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistor Features ●ForSwitchingandAmplifierApplications. ●ExtremelyLowSaturationVoltage ●ComplementarytoNPNType:FMMT617	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半導(dǎo)體東莞市平晶半導(dǎo)體科技有限公司	PJSEMI
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