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2SA1797	文件：186.58 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SA1797	文件：852.81 Kbytes Page：4 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lowsaturationvoltage ExcellentDCcurrentgaincharacteristics	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫電子股份有限公司	WILLAS
2SA1797	文件：122.76 Kbytes Page：2 Pages	Lowsaturationvoltage FEATURES ?Lowsaturationvoltage ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?Complementsto2SC4672	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半導(dǎo)體美科半導(dǎo)體股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
2SA1797	文件：279.62 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●LowsaturationvoltageVCE(sat)=-0.35V(Max.) (IC/IB=-1A/-0.5A). ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. ●Complementsthe2SA1797and2SC4672. ●MSL3 APPLICATIONS ●Lowfrequencytransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀(jì)微電子常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SA1797	文件：2.88728 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowsaturationvoltage ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ●Complementsto2SC4672	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
2SA1797	文件：171.34 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor-50V,-3A	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SA1797	文件：192.54 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ?Lowsaturationvoltage ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?Complementsto2SC4672	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SA1797	文件：768.01 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Lowsaturationvoltage,excellentDCcurrentgaincharacteristics, complementsthe2SC4672. Applications Poweramplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SA1797	文件：171.34 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(??0V,??A) Features 1)Lowsaturationvoltage. VCE(sat)=?0.35V(Max.)atIC/IB=?1A/50mA. 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SC4672.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SA1797	文件：270.19 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀(jì)微電子常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SA1797	文件：235.58 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1797	文件：169.02 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SA1797	文件：496.21 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ?Hightransitionfrequency ?Highpowerdissipation	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1797	文件：36.56 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistor Features ●Lowsaturationvoltage.VCE(sat)=-0.35V(Max.)atIC/IB=-1A/-50mA. ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. ●Complementsthe2SA1797and2SC4672.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SA1797	文件：85.76 Kbytes Page：2 Pages	PowerTransistor(-50V,-3A) Features 1)Lowsaturationvoltage.VCE(sat)=-0.35V(Max.)atIC/IB=-1A/-50mA. 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 4)Complementsthe2SA1797.	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
2SA1797	文件：97.71 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(−50V,−3A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SA1797	文件：43.35 Kbytes Page：2 Pages	POWERTRANSISTOR POWERTRANSISTOR FEATURES LowSaturationVoltage. VCE(SAT)=-0.35V(Max)atIC/IB=-1A/-50mA ExcellentDCCurrentGainCharacteristics	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SA1797	文件：99.48 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-50V,-3A) PowerTransistor(-50V,-2A) LowFrequencyTransistor(50V,2A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SA1797	文件：565.46 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES LowsaturationvoltageVCE(sat)=-0.35V(Max.) (IC/IB=-1A/-0.5A). ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. Complementsthe2SA1797and2SC4672. APPLICATIONS Lowfrequencytransistor.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SA1797	文件：1.00427 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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