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BZT52B2V4	文件：2.74243 Mbytes Page：6 Pages	SOD-123Plastic-EncapsulateZenerDiodes Features PlanarDieConstruction 350mWPowerDissipationonCeramicPCB GeneralPurpose,MediumCurrent IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses AvailableinLeadFreeVersion	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI
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BZT52B2V4	文件：456.43 Kbytes Page：6 Pages	2PINSURFACEMOUNTZENERDIODESZENERDIODES DESCRIPTION The BZT52B2V0BZT52B36areavailablein SOD123Package. FEATURES ?500mwPowerDissipation ?IdealforSurfaceMountedApplication ?ZenerBreakdownVoltageRange2.0Vto36V ?AvailableinSOD123Package MECHANICALDATA Case:SOD-123Moldedplastic Terminals:Solde	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
BZT52B2V4	文件：128.83 Kbytes Page：8 Pages	SmallSignalZenerDiodes FEATURES ?SiliconplanarZenerdiodes ?TheZenervoltagesaregradedaccordingto ??theinternationalE24standard ?AEC-Q101qualifiedavailable ?ESDcapabilityaccordingtoAEC-Q101:? ??Humanbodymodel>8kV? ??Machinemodel>800V ?BaseP/N-E3-RoHS-compliant,commercial ??	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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BZT52B2V4	文件：121.85 Kbytes Page：8 Pages	SmallSignalZenerDiodes Features ?Siliconplanarpowerzenerdiodes ?Thesediodesarealsoavailableinothercasestylesandotherconfigurationsincluding:theSOT-23casewithtypedesignationBZX84series,thedualzenerdiodecommonanodeconfigurationintheSOT-23casewithtypedesignationAZ23seriesandthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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