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AD783JR

Complete Very High Speed Sample-and-Hold Amplifier

PRODUCTDESCRIPTION TheAD783isahighpseed,monolithicsample-and-holdamplifier(SHA).TheAD783offersatypicalacquisitiontime250nsto0.01.TheAD783isspecifiedandtestedforholdmodetotalharmonicdistortionwithinputfrequenciesupto100kHz.TheAD783isconfiguredasaunity

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

AD783JR

Complete Very High Speed Sample-and-Hold Amplifier

PRODUCTDESCRIPTION TheAD783isahighpseed,monolithicsample-and-holdamplifier(SHA).TheAD783offersatypicalacquisitiontime250nsto0.01.TheAD783isspecifiedandtestedforholdmodetotalharmonicdistortionwithinputfrequenciesupto100kHz.TheAD783isconfiguredasaunity

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

AD783JRZ

Complete Very High Speed Sample-and-Hold Amplifier

PRODUCTDESCRIPTION TheAD783isahighpseed,monolithicsample-and-holdamplifier(SHA).TheAD783offersatypicalacquisitiontime250nsto0.01.TheAD783isspecifiedandtestedforholdmodetotalharmonicdistortionwithinputfrequenciesupto100kHz.TheAD783isconfiguredasaunity

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

ADG783

2.5ohmQuadSPSTSwitchesinChipScalePackage

GENERALDESCRIPTION TheADG781,ADG782,andADG783aremonolithicCMOSdevicescontainingfourindependentlyselectableswitches.Theseswitchesaredesignedonanadvancedsubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationandhighswitchingspeed,lowonresistance,lowleakagecurrentsand

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

ADG783BCP

2.5ohmQuadSPSTSwitchesinChipScalePackage

GENERALDESCRIPTION TheADG781,ADG782,andADG783aremonolithicCMOSdevicescontainingfourindependentlyselectableswitches.Theseswitchesaredesignedonanadvancedsubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationandhighswitchingspeed,lowonresistance,lowleakagecurrentsand

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

BA783

BandswitchingDiodes

Features ●SiliconEpitaxialPlanarDiodeSwitches ●Forhigh-speedswitchingapplicationandTVtunersinthefrequencyrange of501000MHz.Thedynamicforwardresistanceisconstantandverysmall overawiderangeoffrequencyandforwardcurrent.Thereversecapacitanceis also

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

BA783

BandswitchingDiodes

FEATURES ?SiliconEpitaxialPlanarDiodeSwitches ?ForelectronicbandswitchinginradioandTVtunersinthefrequencyrangeof50…1000MHz.Thedynamicforwardresistanceisconstantandverysmalloverawiderangeoffrequencyandforwardcurrent.Thereversecapacitanceisalsosma

GE

GE Industrial Company

BA783

BandSwitchingDiodes

DESCRIPTION ForelectricbandswitchinginradioandTVtunersinthefrequencyrangeof(50to1000)MHz.Thedynamicforwardresistanceisconstantandverysmalloverawiderangeoffrequencyandforwardcurrent.Thereversecapacitanceisalsosmallandlargelyindependentofthereversevo

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BA783-G

BandSwitchingDiodes

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BA783S

BandswitchingDiodes

FEATURES ?SiliconEpitaxialPlanarDiodeSwitches ?ForelectronicbandswitchinginradioandTVtunersinthefrequencyrangeof50…1000MHz.Thedynamicforwardresistanceisconstantandverysmalloverawiderangeoffrequencyandforwardcurrent.Thereversecapacitanceisalsosmalland

GE

GE Industrial Company

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    AD783JR

  • 功能描述：

    IC AMP SAMPLE HOLD LP 5MA 8SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類(lèi)別：

    集成電路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    2,500

  • 系列：

    Excalibur™

  • 放大器類(lèi)型：

    J-FET

  • 電路數(shù)：

    1

  • 輸出類(lèi)型：

    -

  • 轉(zhuǎn)換速率：

    45 V/µs

  • 增益帶寬積：

    10MHz

  • -3db帶寬：

    - 電流 -

  • 輸入偏壓：

    20pA 電壓 -

  • 輸入偏移：

    490µV 電流 -

  • 電源：

    1.7mA 電流 -

  • 輸出/通道：

    48mA 電壓 -

  • 電源，單路/雙路(±)：

    4.5 V ~ 38 V，±2.25 V ~ 19 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    8-SOIC

  • 包裝：

    帶卷(TR)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ADI(亞德諾)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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原裝現(xiàn)貨,可開(kāi)13%稅票
 詢價(jià)
更多AD783JR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-26 15:14:00

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