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AD849SQ	文件：259.1 Kbytes Page：8 Pages	HighSpeed,LowPowerMonolithicOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD848andAD849arehighspeed,lowpowermonolithicoperationalamplifiers.TheAD848isinternallycompensatedsothatitisstableforclosedloopgainsof5orgreater.TheAD849isfullydecompensatedandisstableatgainsgreaterthan24.TheAD848andAD849achieve	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司	AD
AD849SQ	文件：283.64 Kbytes Page：9 Pages	HighSpeed,LowPowerMonolithicOpAmp	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司	AD
AD849SQ	文件：220.31 Kbytes Page：8 Pages	HighSpeed,LowPowerMonolithicOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD848andAD849arehighspeed,lowpowermonolithicoperationalamplifiers.TheAD848isinternallycompensatedsothatitisstableforclosedloopgainsof5orgreater.TheAD849isfullydecompensatedandisstableatgainsgreaterthan24.TheAD848andAD849achieve	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司	AD
ADG849	文件：334.99 Kbytes Page：12 Pages	3V/5VCMOS0.5廓SPDT/2:1MuxinSC70 GENERALDESCRIPTION TheADG849isamonolithic,CMOSSPDT(singlepole,doublethrow)switchthatoperateswithasupplyrangeof1.8Vto5.5V.Itisdesignedtoofferultralowon-resistancevaluesoftypically0.5?.ThisdesignmakestheADG849anidealsolutionforapplicationsthatrequire	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司	AD
ADG849YKSZ-REEL	文件：348.78 Kbytes Page：12 Pages	3V/5VCMOS0.5ohmSPDT/2:1MuxinSC70 GENERALDESCRIPTION TheADG849isamonolithic,CMOSSPDT(singlepole,doublethrow)switchthatoperateswithasupplyrangeof1.8Vto5.5V.Itisdesignedtoofferultralowon-resistancevaluesoftypically0.5?.ThisdesignmakestheADG849anidealsolutionforapplicationsthatrequire	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司	AD
AH849	文件：64.41 Kbytes Page：2 Pages	FULLYBUFFEREDANTI-ALIASINGPRE/POSTFILTER	FaradayFaraday Technology 智原科技智原科技股份有限公司	Faraday
AN-849	文件：194.78 Kbytes Page：8 Pages	UsingOpAmpsasComparators	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司	AD
BC849	文件：146.75 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?ForComplementaryWithPNPTypeBC859/860.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
BC849	文件：301.49 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistors(NPN) FEATURES ?NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors forswitchingandAFamplifierapplications. ?Especiallysuitedforautomaticinsertionin thick-andthin-filmcircuits. ?Thesetransistorsaresubdividedintothree groupsA,BandCaccordingtotheircurrentgain.The typ	GE GE Industrial Company	GE
BC849	文件：186.57 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposeTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC849	文件：35.64 Kbytes Page：3 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARGENERALPURPOSETRANSISTORS SOT23NPNSILICONPLANARGENERALPURPOSETRANSISTORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BC849	文件：35.74 Kbytes Page：3 Pages	SOT23PNPSILICONPLANARGENERALPURPOSETRANSISTORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BC849	文件：46.35 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplements:BC859andBC860. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC849	文件：68.65 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR Features ?SwitchingandAmplifierApplications ?Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits ?LowNoise:BC849,BC850 ?ComplementtoBC856...BC860	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
BC849	文件：52.37 Kbytes Page：3 Pages	SOT23NPNSILICONPLANAR SOT23NPNSILICONPLANARGENERALPURPOSETRANSISTORS	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BC849	文件：54.93 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATION ■FEATURES Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits. ComplementtoBC856…BC860	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
BC849	文件：149.1 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features ?SwitchingandAmplifierApplications ?Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits ?LowNoise:BC849,BC850 ?ComplementtoBC856...BC860	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
BC849	文件：101.76 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC849	文件：40.97 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors ■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●PNPcomplements:BC859andBC860.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
BC849	文件：228.81 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description DesignedforswitchingandAFamplifieramplificationsuitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits.	DCCOM Dc Components	DCCOM

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更多AD849JRZ其他IC供應商更新時間2025-1-13 9:03:00

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