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ADB3115中文資料愛德微數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ADB3115
廠商型號

ADB3115

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

495.02 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

ADV愛德微

中文名稱

愛德微(深圳)電子有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-25 20:42:00

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ADB3115規(guī)格書詳情

Features:

● Low Gate Charge for Fast Switching Application

● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss

● 100% EAS Guaranteed

● Optimized V(BR)DSS Ruggedness

● Green Device Available

Description:

These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.These devices are well suited for high efficiency fast switching applications.

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