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ADG636YRUZ1	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ?5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ADG636YRUZ-REEL1	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ?5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ADG636YRUZ-REEL71	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ?5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AL-HG636A	文件：338.41 Kbytes Page：5 Pages	GreenSMDChipLEDLamps(0.6mmHeight)	A-BRIGHT A-BRIGHT Inc	A-BRIGHT
AL-HG636D	文件：339.61 Kbytes Page：5 Pages	GreenSMDChipLEDLamps(0.8mmHeight)	A-BRIGHT A-BRIGHT Inc	A-BRIGHT
AT636	文件：44.07 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR PHASECONTROLTHYRISTOR Repetitivevoltageupto1800V Meanon-statecurrent1965A Surgecurrent36kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
ATS636LSE	文件：814.15 Kbytes Page：15 Pages	ProgrammableBackBiasedHall-EffectSwitchwithTPOSFunctionality FEATURES ChopperStabilization Extremelylowswitch-pointdriftovertemperature On-chipProtection Supplytransientprotection Outputshort-circuitprotection Reverse-batteryprotection TrueZero-SpeedOperation TruePower-OnState Single-chipSensingICforHighReliability O	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
ATS636LSETN-T	文件：814.15 Kbytes Page：15 Pages	ProgrammableBackBiasedHall-EffectSwitchwithTPOSFunctionality FEATURES ChopperStabilization Extremelylowswitch-pointdriftovertemperature On-chipProtection Supplytransientprotection Outputshort-circuitprotection Reverse-batteryprotection TrueZero-SpeedOperation TruePower-OnState Single-chipSensingICforHighReliability O	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
ATS636LSETN-T	文件：348.67 Kbytes Page：15 Pages	TheATS636LSEprogrammable,truepower-onstate(TPOS),deviceisoptimizedHall-effectICandrare-earthpelletcombinationsthatswitchinresponsetomagneticsignals...	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
BC636	文件：56.7 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BC636	文件：184.61 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC636	文件：43.92 Kbytes Page：8 Pages	PNPmediumpowertransistors DESCRIPTION PNPmediumpowertransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPcomplements:BC635,BC637andBC639. FEATURES ?Highcurrent(max.1A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Audioandvideoamplifiers.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC636	文件：86.61 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors(PNPSilicon) HighCurrentTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BC636	文件：116.45 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors HighCurrentTransistorsPNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
BC636	文件：126.87 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors(HighcurrentgainHighcollectorcurrent) PNPSiliconAFTransistors ●Highcurrentgain ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC635,BC637,BC639(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BC636	文件：144.01 Kbytes Page：15 Pages	45V,1APNPmediumpowertransistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC636	文件：221.74 Kbytes Page：2 Pages	PNPTypePlasticEncapsulateTransistors FEATURE PowerDissipation:PCM:0.83mW(Tamb=25°C)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC636	文件：62.01 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS ?ComplementtoBC635/637/639	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC636	文件：424.45 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC636	文件：97.76 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor MediumPowerTransistorsforaudioandvideoamplifiers	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
ADG636YRUZ
制造商：
AD
制造商全稱：
Analog Devices
功能描述：
1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ?±5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	ADG636YRUZREEL7	ADI	22+	14TSSOP	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	ADG636YRUZREEL7	ADI	21+	14TSSOP	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	ADG636YRUZREEL7	ADI	23+	14TSSOP	9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市豪邁興電子有限公司	ADG636YRUZ-REEL7	ADI	2339+	±5VDual2:1MU	6521	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!	詢價(jià)
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司	ADG636YRUZ-REEL7	ADI/亞德諾	18+	TSSOP	28494	全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開(kāi)增值稅發(fā)票	詢價(jià)
深圳市芯祺盛科技有限公司	ADG636YRUZ-REEL7	ADI/亞德諾	18+	TSSOP-14	1000	ADI原廠原裝優(yōu)勢(shì)訂貨	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	ADG636YRUZ-REEL7	ADI/亞德諾	20+	14-LeadTSSOP	33680	ADI全新原裝-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	ADG636YRUZ-REEL7	ADI	24+	±5V Dual 2:1 MUX with 1pC Qi	6540	原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	ADG636YRUZ-REEL7	Analog Devices Inc.	21+	14-TSSOP	56300	一級(jí)代理/放心采購(gòu)	詢價(jià)
深圳市興燦科技有限公司	ADG636YRUZ-REEL7	ADI/亞德諾	24+	TSSOP	25500	授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價(jià)銷售	詢價(jià)

更多ADG636YRUZ供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 10:30:00

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