ADM18N03Z中文資料愛德微數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
ADM18N03Z |
| 功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | PDFN33 |
| 文件大小 |
1.02127 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd |
| 企業(yè)簡稱 |
ADV【愛德微】 |
| 中文名稱 | 愛德微(深圳)電子有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-24 23:21:00 |
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ADM18N03Z規(guī)格書詳情
Features:
● Low Gate Charge for Fast Switching Application
● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss
● 100% EAS Guaranteed
● Optimized V(BR)DSS Ruggedness
● Green Device Available
Description:
The ADM18N03Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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