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ADM200N06G中文資料愛德微數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
ADM200N06G |
| 功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | TO-263-2 |
| 文件大小 |
1.10951 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產廠商 | Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd |
| 企業(yè)簡稱 |
ADV【愛德微】 |
| 中文名稱 | 愛德微(深圳)電子有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-30 10:10:00 |
ADM200N06G規(guī)格書詳情
Features:
● Low Gate Charge for Fast Switching Application
● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss
● 100% EAS Guaranteed
● Optimized V(BR)DSS Ruggedness
● Lead-Free,RoHS Compliant
Description:
The ADM200N06G series MOSFETs is a new technology, which combines an innovative super junction technology and advance process. This new technology achieves low Rdson, energy saving, high reliability and uniformity, superior power density and space saving.
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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