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ADM20N10E中文資料愛德微數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ADM20N10E
廠商型號(hào)

ADM20N10E

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

874.23 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ADV愛德微

中文名稱

愛德微(深圳)電子有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-24 15:36:00

ADM20N10E規(guī)格書詳情

Features:

● Low Gate Charge for Fast Switching Application

● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss

● 100% EAS Guaranteed

● Optimized V(BR)DSS Ruggedness

● Lead-Free,RoHS Compliant

Description:

The ADM20N10E uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

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