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ADM30P06E中文資料愛德微數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ADM30P06E
廠商型號(hào)

ADM30P06E

功能描述

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

638 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ADV愛德微

中文名稱

愛德微(深圳)電子有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-13 8:01:00

ADM30P06E規(guī)格書詳情

Features:

● Low Gate Charge for Fast Switching Application

● Fast Switching

● High Power and current handing capability

● Green Device Available

Description:

The ADM30P06E is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.These devices are well suited for high efficiency fast switching applications.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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