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ADM68N10Q

Marking：M68N10Q；Package：PDFN56；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM68N10QusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛(ài)德微愛(ài)德微(深圳)電子有限公司

CEB68N10L

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,69A,RDS(ON)=9.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=13mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP68N10L

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,69A,RDS(ON)=9.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=13mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

GLU68N10

SURFCOILSMTINDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

GLX68N10

SURFCOILSMTINDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多ADM68N10Q供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-11 15:14:00

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