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ADM80N03Z中文資料愛德微數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ADM80N03Z
廠商型號(hào)

ADM80N03Z

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

M80N03Z

封裝外殼

PDFN33

文件大小

861.71 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ADV愛德微

中文名稱

愛德微(深圳)電子有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-26 15:38:00

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ADM80N03Z規(guī)格書詳情

Features:

● Low Gate Charge for Fast Switching Application

● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss

● 100% EAS Guaranteed

● Optimized V(BR)DSS Ruggedness

● Green Device Available

Description:

The ADM80N03Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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