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AK4612	文件：1.1659 Mbytes Page：68 Pages	6/8-ChannelAudioCODEC	AKMAsahi Kasei Microsystems 旭化成微電子旭化成微電子株式會社	AKM
AK4612	文件：1.1659 Mbytes Page：68 Pages	6/8-ChannelAudioCODEC	AKMAsahi Kasei Microsystems 旭化成微電子旭化成微電子株式會社	AKM
AK4612EQ	文件：1.1659 Mbytes Page：68 Pages	6/8-ChannelAudioCODEC	AKMAsahi Kasei Microsystems 旭化成微電子旭化成微電子株式會社	AKM
AK4612VQ	文件：1.1659 Mbytes Page：68 Pages	6/8-ChannelAudioCODEC	AKMAsahi Kasei Microsystems 旭化成微電子旭化成微電子株式會社	AKM
AO4612	文件：142.98 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4612usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.StandardproductAO4612isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4612Lisa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO4612	文件：2.54125 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=60V ID=4.5A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
AO4612	文件：482.01 Kbytes Page：9 Pages	60VComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO4612	文件：2.72031 Mbytes Page：7 Pages	N-ChanelandP-ChannelMOSFETuseadvancedtrenchtechnology Description： ThisN-ChanelandP-ChannelMOSFETuseadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdevicemaybeusedtoformalevelshiftedhighsideswitch,andforahostofotherapplication. Features： N-Channel:VDS=60V,ID=4.5A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
AO4612-HF	文件：4.0017 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=60V ID=4.5A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
AO4612L	文件：142.98 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4612usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.StandardproductAO4612isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4612Lisa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
CNXDF4612	文件：69.31 Kbytes Page：1 Pages	DCABLEASSEMBLY	VCC Visual Communications Company	VCC
DM4612P	文件：35.7387 Mbytes Page：42 Pages	MAGNETICPOWDERCORES	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
EFC4612R	文件：272.39 Kbytes Page：5 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
EFC4612R	文件：272.33 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications Features ?2.5Vdrive ?Built-ingateprotectionresistor ?BestsuitedforLiBcharginganddischargingswitch ?Common-draintype ?Halogenfreecompliance	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
EFC4612R	文件：290.39 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features ?2.5Vdrive ?Built-ingateprotectionresistor ?BestsuitedforLiBcharginganddischargingswitch ?Common-draintype ?Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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EFC4612R-S-TR	文件：768.13 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET ThisPowerMOSFETfeaturesalowon-stateresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationssuchaspowerswitchesofportablemachines.Bestsuitedfor1-2cellslithium-ionbatteryapplications. Features ?2.5Vdrive ?Common-Draintype ?ESDDiode-ProtectedGate ?Pb-Free,HalogenFree	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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