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ADP3118JRZ集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

ADP3118JRZ
廠商型號(hào)

ADP3118JRZ

參數(shù)屬性

ADP3118JRZ 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

Dual Bootstrapped 12 V MOSFET Driver with Output Disable
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

225.81 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-13 22:52:00

ADP3118JRZ規(guī)格書詳情

ADP3118JRZ屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的ADP3118JRZ柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

GENERAL DESCRIPTION

The ADP3118 is a dual, high voltage MOSFET driver optimized for driving two N-channel MOSFETs, which are the two switches in a nonisolated synchronous buck power converter. Each of the drivers is capable of driving a 3000 pF load with a 25 ns propagation delay and a 25 ns transition time. One of the drivers can be bootstrapped and is designed to handle the high voltage slew rate associated with floating high-side gate drivers. The ADP3118 includes overlapping drive protection to prevent shoot-through current in the external MOSFETs.

FEATURES

Optimized for low gate charge MOSFETs

All-in-one synchronous buck driver

Bootstrapped high-side drive

One PWM signal generates both drives

Anticross-conduction protection circuitry

Output disable control turns off both MOSFETs to float output per Intel VRM 10

Meets CPU VR requirement when used with Analog Devices, Inc. Flex-Mode1 controller

APPLICATIONS

Multiphase desktop CPU supplies

Single-supply synchronous buck converters

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    ADP3118JRZ

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.15V ~ 13.2V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2V

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    25ns,20ns

  • 工作溫度:

    0°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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