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ADPA7009-2ACEZ-R7

20 GHz to 54 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC, 29 dBm (0.5 W) Power Amplifier

GENERALDESCRIPTION TheADPA7009-2isagalliumarsenide(GaAs),pseudomorphic high-electron-mobilitytransistor(pHEMT),monolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC),0.5Wpoweramplifierwithanintegrated temperature-compensated,on-chippowerdetectorthatoperates between20GHzand5

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

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