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ADRF5162BCPZN-R7中文資料亞德諾數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ADRF5162BCPZN-R7
廠商型號(hào)

ADRF5162BCPZN-R7

功能描述

High Power, 100 W Peak, Silicon SPDT, Reflective Switch, 0.4 GHz to 8 GHz

文件大小

712.61 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Analog Devices
企業(yè)簡(jiǎn)稱

AD亞德諾

中文名稱

亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-13 23:00:00

ADRF5162BCPZN-R7規(guī)格書詳情

FEATURES

? Frequency range: 0.4 GHz to 8 GHz

? Low insertion loss: 0.6 dB typical to 4 GHz

? High Isolation: 45 dB typical to 4 GHz

? High input linearity

? 0.1 dB power compression (P0.1dB): 50 dBm

? Third order intercept (IP3): >76 dBm

? High power handling at TCASE = 85°C:

? Insertion loss path

? Average: 45.5 dBm

? Pulsed (>100 ns pulse width, 15% duty cycle): 48.5 dBm

? Peak (≤100 ns peak duration, 5% duty cycle): 50 dBm

? Hot-switching at RFC: 43 dBm

? 0.1 dB RF settling time with PIN ≤ 43 dBm: 1.2 μs

? No low frequency spurious

? Positive control interface: CMOS/LVTTL-compatible

? 24-lead, 4.0 mm × 4.0 mm LFCSP package

APPLICATIONS

? Military radios, radars, and electronic counter measures

? Cellular infrastructure

? Test and instrumentation

? GaN and PIN diode replacement

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