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ADXL193	文件：180.46 Kbytes Page：12 Pages	Single-Axis,High-g,iMEMSAccelerometers GENERALDESCRIPTION TheADXL193isalowpower,completesingle-axisaccelerometerwithsignalconditionedvoltageoutputsthatareallonasinglemonolithicIC.Thisproductmeasuresaccelerationwithafull-scalerangeof±120gor±250g(minimum).Itcanalsomeasurebothdynamicaccelerat	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AS193I-BK	文件：532.47 Kbytes Page：1 Pages	NECLCD19DesktopDisplay	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
AXP193	文件：1.12122 Mbytes Page：51 Pages	EnhancedsingleCellLi-BatteryandPowerSystemManagementIC	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
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BFG193	文件：59.73 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFG193	文件：73.92 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BFG193	文件：185.15 Kbytes Page：5 Pages	LowNoiseFigure DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFG193	文件：62.15 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193	文件：60.24 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFP193	文件：78.73 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193	文件：78.91 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193	文件：549.81 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193T	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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BFP193W	文件：75.36 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,F=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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更多ADS-193MR供應(yīng)商更新時間2024-11-7 16:50:00

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