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ADS065J016G3

3 rd Generation 65 0V/ 16 A SiC Schottky Barrier Diode

Features ?AECQ101qualified ?RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) ?Noreverserecovery ?Highspeedswitchingperformance ?Temperatureindependentswitchingbehavior ?Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements ?Junctiontemperaturerange

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安半導(dǎo)體三安光電股份有限公司

SDS065J016G3

3rdGeneration650V/16ASiCSchottkyBarrierDiode

RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements unctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScompliant

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安半導(dǎo)體三安光電股份有限公司

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更多ADS065J016G3供應(yīng)商 更新時間2024-12-27 15:56:00

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