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ADS065J020C3中文資料三安半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

ADS065J020C3
廠(chǎng)商型號(hào)

ADS065J020C3

功能描述

3 rd Generation 650V /20A SiC Schottky Barrier Diode

文件大小

1.15573 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Sanan Optoelectronics Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

SANAN三安半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

三安光電股份有限公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-12 18:53:00

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ADS065J020C3規(guī)格書(shū)詳情

AEC Q 101 qualified

Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide (SiC)

N o reverse recovery

High speed switching performance

Temperature independent switching behavior

System cost / size savings due to reduced cooling requirements

J unction temperature range from 55 to 175

RoHS compliant

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VAKOS/SXSEMI
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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