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ADS120J020H3

Marking：DS120020H3；Package：TO-247-2L；3 rd Generation 1200V/20A SiC Schottky Barrier Diode

AECQ101qualified RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScom

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安半導體三安光電股份有限公司

SDS120J020H3

3rdGeneration1200V/20ASiCSchottkyBarrierDiode

RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScompliant

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安半導體三安光電股份有限公司

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更多ADS120J020H3供應商 更新時間2025-1-27 10:32:00

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