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VariablecapacitancediodeforVCOandVCXOSmallplasticSMDpackage | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司 | nxp | ||
RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司 | nxp | ||
PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=47k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
PNPSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=47k?,R2=47k?) | SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
PNPSiliconDigitalTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
PNPSiliconDigitalTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=47k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
PNPSiliconDigitalTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
PNPSiliconDigitalTransistorArray(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) PNPSiliconDigitalTransistorArray ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Two(galvanic)internalisolatedTransistorsinonepackage ?Builtinbiasresistor(R1=47k?,R2=47k?) | SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
PNPSiliconDigitalTransistorArray PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=47k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
PNPSiliconDigitalTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=47k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
PNPSiliconDigitalTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
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NPNSiliconRFTransistor
| SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
PNPOUTPUTTRANSISTOR | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Ge-PNP
- 性質(zhì):
調(diào)頻 (FM)_中頻放大 (ZF)_自動增益 (re)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
- 最大電流允許值:
- 最大工作頻率:
>60MHZ
- 引腳數(shù):
4
- 可代換的型號:
AF127,AF200,3AG54C,
- 最大耗散功率:
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
D-58
- vtest:
0
- htest:
60000100
- atest:
0
- wtest:
0
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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CARLINGTECHNOLOGIES |
24+ |
414 |
詢價 | ||||
CARLINGTECHNOLOGIES |
22+ |
NA |
30000 |
100%全新原裝 假一賠十 |
詢價 | ||
N/A |
22+ |
DIP |
12000 |
只做原裝、原廠優(yōu)勢渠道、假一賠十 |
詢價 | ||
N/A |
23+ |
DIP |
6000 |
只有原裝正品,老板發(fā)話合適就出 |
詢價 | ||
N/A |
24+ |
DIP |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
TI/德州儀器 |
24+ |
DFN10 |
540 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
TI/德州儀器 |
22+ |
DFN10 |
360 |
誠信經(jīng)營..品質(zhì)保證..價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
ATP Electronics |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
ATP |
22+ |
NA |
251 |
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詢價 | ||
2653 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |