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AFGHL50T65SQDC_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AFGHL50T65SQDC_V01
廠商型號

AFGHL50T65SQDC_V01

功能描述

Hybrid IGBT, 50 A, 650 V

文件大小

386.32 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-10 23:00:00

AFGHL50T65SQDC_V01規(guī)格書詳情

Using the novel field stop 4th generation IGBT technology and the

1.5th generation SiC Schottky Diode technology,

AFGHL50T65SQDC offers the optimum performance with both low

conduction and switching losses for high efficiency operations in

various applications, especially totem pole bridgeless PFC and

Inverter.

Features

? AEC?Q101 Qualified

? Maximum Junction Temperature : TJ = 175?C

? Positive Temperature Co?efficient for Easy Parallel Operating

? High Current Capability

? Low Saturation Voltage: VCE(Sat) = 1.6 V (Typ.) @IC = 50 A

? Fast Switching

? Tighten Parameter Distribution

? No Reverse Recovery/No Forward Recovery

Typical Applications

? Automotive

? On & Off Board Chargers

? DC?DC Converters

? PFC

? Industrial Inverter

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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