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AFGHL75T65SQDT分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
AFGHL75T65SQDT |
參數屬性 | AFGHL75T65SQDT 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:650V/75A FS4 IGBT TO247 L |
功能描述 | Field Stop Trench IGBT 650 V, 75 A |
絲印標識 | |
封裝外殼 | TO-247-3L / TO-247-3 |
文件大小 |
260.899 Kbytes |
頁面數量 |
9 頁 |
生產廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
中文名稱 | 安森美半導體公司官網 |
原廠標識 | ![]() |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-2-24 18:30:00 |
人工找貨 | AFGHL75T65SQDT價格和庫存,歡迎聯系客服免費人工找貨 |
AFGHL75T65SQDT規(guī)格書詳情
AFGHL75T65SQDT屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產的AFGHL75T65SQDT晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產品屬性
更多- 產品編號:
AFGHL75T65SQDT
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,75A
- 開關能量:
2.12mJ(開),1.14mJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
24ns/106ns
- 測試條件:
400V,75A,4.7 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
650V/75A FS4 IGBT TO247 L
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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