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AFM06P3-213中文資料ALPHA數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AFM06P3-213
廠商型號(hào)

AFM06P3-213

功能描述

Ka Band Power GaAs MESFET Chips

文件大小

25.51 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Alpha Industries
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ALPHA

中文名稱

Alpha Industries

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-20 19:14:00

AFM06P3-213規(guī)格書詳情

Description

The AFM06P3-212, 213 are high performance power GaAs MESFET chips in an industry standard ceramic micro-x package, having a gate length of 0.25 μm and a total gate periphery of 600 μm. These devices have excellent gain and power performance through 26 GHz, making them suitable for a wide range of commercial and military applications in oscillator and amplifier circuits.

Features

■ 22 dBm Output Power @ 18 GHz

■ High Associated Gain, 9 dB @ 18 GHz

■ High Power Added Efficiency, 23

■ Broadband Operation, DC–18 GHz

■ 0.25 μm Ti/Pd/Au Gates

■ Passivated Surface

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AFM06P3-213

  • 制造商:

    ALPHA

  • 制造商全稱:

    ALPHA

  • 功能描述:

    Ka Band Power GaAs MESFET Chips

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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