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AFM912N	文件：195.94 Kbytes Page：13 Pages	Airfast RF Power LDMOS Transistor Designedforhandheldtwo?wayradioapplicationswithfrequenciesfrom 136to941MHz.Thehighgain,ruggednessandwidebandperformanceofthis devicemakeitidealforlarge?signal,common?sourceamplifierapplicationsin handheldradioequipment. Features ?Characterizedforoperationf	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
AFM912NT1	文件：195.94 Kbytes Page：13 Pages	Airfast RF Power LDMOS Transistor Designedforhandheldtwo?wayradioapplicationswithfrequenciesfrom 136to941MHz.Thehighgain,ruggednessandwidebandperformanceofthis devicemakeitidealforlarge?signal,common?sourceamplifierapplicationsin handheldradioequipment. Features ?Characterizedforoperationf	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
AN912	文件：428.28 Kbytes Page：16 Pages	DesigningLFTalkbackforaMagneticBaseStation	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
AR912	文件：167.69 Kbytes Page：4 Pages	RECTIFIERDIODE RECTIFIERDIODE Repetitivevoltageupto5600V Meanforwardcurrent645A Surgecurrent6.3kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
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B912	文件：690.6 Kbytes Page：2 Pages	CommonModeChokesForADSLandVDSL	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
BD912	文件：143.24 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(15A,90W)	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司	MOSPEC
BD912	文件：149.19 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導體公司	boca
BD912	文件：97.27 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheBD909andBD911aresiliconEpitaxial-BaseNPNpowertransistorsmountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareBD910andBD912respectively. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS

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